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S45Cの高周波焼入れにおける**有効硬化層深さ（Effective Case Depth, ECD）**は、使用する周波数や処理条件によりますが、一般的には約1.5～6.0mm程度です。以下の3つの要因によって変わります。

1. 高周波の周波数による影響

• 高周波（100～500 kHz） → 浅い層（1.5～3.0mm）

• 中周波（10～100 kHz） → 中間層（2.5～5.0mm）

• 低周波（1～10 kHz） → 深い層（4.0～6.0mm）

周波数が高いほど浅く、低いほど深く硬化します。

2. 加熱時間と電力密度

• 加熱時間を長くすると浸透深さが増すが、過加熱により脆くなるリスクがある

• 電力密度を調整することで、狙った硬化層深さに制御可能